@article{PismaZhETF.109.98,
    title = {Особенности электронной структуры топологического изолятора  Bi$_{\bf2}$Se$_{\bf3}$,  дискретно легированного атомами $\boldsymbol{3d}$-переходных металлов$^{1)}$},
    author = {Кулатов, Э. Т. and Меньшов, В. Н. and Тугушев, В. В. and Успенский, Ю. А.},
    journal = {Письма в ЖЭТФ},
    volume = {109},
    issue = {2},
    pages = {98},
    year = {2019},
    doi = {10.1134/S0370274X19020061},
    url = {http://jetpletters.ru/ps/dx/10.1134/S0370274X19020061},
    note = {[JETP Letters 109, 102 (2019)]}
}