Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 81-92
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 61-80
      Volume 80
      Volume 79
      Volume 78
      Volume 77
      Volume 76
      Volume 75
      Volume 74
      Volume 73
      Volume 72
      Volume 71
      Volume 70
      Volume 69
      Volume 68
      Volume 67
      Volume 66
      Volume 65
      Volume 64
      Volume 63
      Volume 62
      Volume 61
Search
VOLUME 67 (1998) | ISSUE 7 | PAGE 473
О влиянии корневой сингулярности Ван Хова на критическую температуру высокотемпературных сверхпроводников
Показано, что корневая сингулярность Ван Хова в плотности состояний v(Ep) ~ ~ (Ер — Ео)-1/2, связанная с протяженными седловыми особенностями в электронном спектре высокотемпературных сверхпроводников на основе купратных металло-оксидных соединений дырочного типа, приводит к немонотонной зависимости критической температуры Тс от положения уровня Ферми Ef относительно дна седловин ЕоПри этом, в результате сокращения расходимости v(Ep) в перенормированной за счет эффектов сильной связи константе электрон-электронного взаимодействия, Тс стремится к нулю в пределе Ер —» Ео, в отличие от приближения слабой связи, в рамках которого Тс стремится к конечному (близкому к максимальному) значению при Ер —► ЕоЗависимость Тс от концентрации допированных дырок, полученная в приближении сильной связи, качественно согласуется с экспериментальными данными для передопированных купратных металлооксидов.