Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 81-92
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 61-80
      Volume 80
      Volume 79
      Volume 78
      Volume 77
      Volume 76
      Volume 75
      Volume 74
      Volume 73
      Volume 72
      Volume 71
      Volume 70
      Volume 69
      Volume 68
      Volume 67
      Volume 66
      Volume 65
      Volume 64
      Volume 63
      Volume 62
      Volume 61
Search
VOLUME 65 | ISSUE 8 | PAGE 623
Экситон-экситонные соударения и конверсия пространственно непрямых экситонов в GaAs/AlGaAs сверхрешетках
В широком диапазоне плотностей мощности оптического возбуждения исследовано соотношение концентраций прямых и пространственно непрямых эксито-нов в симметричной системе связанных квантовых ям сверхрешетке на основе GaAe/AlGaAs гетероструктуры. При высоких концентрациях экситонов обнаружен эффект конверсии пространственно непрямых экситонов в прямые в результате экситон-экситонных соударений. Прямым свидетельством в пользу такого механизма конверсии является корневая зависимость концентрации непрямых экситонов от уровня оптического возбуждения. Уменьшение времени жизни непрямых экситонов с ростом плотности возбуждения, непосредственно измеренное методами времяразрешенной спектроскопии, подтверждает предлагаемое объяснение эффекта. PACS: 78.47.+Р, 78.66.Fd