Экситон-экситонные соударения и конверсия пространственно непрямых экситонов в GaAs/AlGaAs сверхрешетках
Филин А.И., Тимофеев В.Б., Губарев С.И., Биркедель Д., Хвам Дж.М.
В широком диапазоне плотностей мощности оптического возбуждения исследовано соотношение концентраций прямых и пространственно непрямых эксито-нов в симметричной системе связанных квантовых ям сверхрешетке на основе GaAe/AlGaAs гетероструктуры. При высоких концентрациях экситонов обнаружен эффект конверсии пространственно непрямых экситонов в прямые в результате экситон-экситонных соударений. Прямым свидетельством в пользу такого механизма конверсии является корневая зависимость концентрации непрямых экситонов от уровня оптического возбуждения. Уменьшение времени жизни непрямых экситонов с ростом плотности возбуждения, непосредственно измеренное методами времяразрешенной спектроскопии, подтверждает предлагаемое объяснение эффекта. PACS: 78.47.+Р, 78.66.Fd