|
VOLUME 65 (1997) | ISSUE 8 |
PAGE 651
|
Теплопроводность кристалла фуллерита С60 SC-фазы
Ефимов В.Б., Межов-Деглин Л.П., Николаев Р.К.
![<b>Исследовано поведение теплопроводности fc(T) массивных ограненных кристаллов фуллерита Ceo при температурах Г 8 220 К. Образцы были приготовлены из чистого См, содержавшего менее 0,01% примесей, методом газового транспорта. Обнаружено, что с понижением температуры теплопроводность кристалла возрастает, достигает максимума при <i>Τ </i>15 20 К и падает в ~ 2 раза, пропорционально изменению теплоемкости, с охлаждением до 8 К. Эффективная длина свободного пробега фононов λ<sub>ρ</sub>, оцениваемая по теплопроводности и известной из литературы теплоемкости фуллерита, сравнима с постоянной решетки кристалла λ<sub>ρ</sub> ~ <i>d </i>1.4 нм при <i>Τ </i>> 200 К и достигает значений λ<sub>ρ</sub> ~ 50<f при <i>Τ </i>< 15 К, т.е. максимальные фононные пробеги ограничиваются рассеянием на дефектах в объеме образца </b>SC-фазы. <b>В области Τ 25 — 75 К наблюдаемая температурная зависимость <i>к(Т) </i>может быть описана выражением <i>к(Т) </i>~ ехр(©/ЬТ), характерным для поведения теплопроводности совершенных непроводящих кристаллов при температурах ниже дебаевской Θ (в фуллерите Θ 80 К), где преобладает фонон-фононное рассеяние с перебросом в объеме образца <i>(U-</i>процессы).</b> <b>PACS: 66.70.+f</b>](/ps/1004/article_15268_800_head.png)
Исследовано поведение теплопроводности fc(T) массивных ограненных кристаллов фуллерита Ceo при температурах Г 8 220 К. Образцы были приготовлены из чистого См, содержавшего менее 0,01% примесей, методом газового транспорта. Обнаружено, что с понижением температуры теплопроводность кристалла возрастает, достигает максимума при Τ 15 20 К и падает в ~ 2 раза, пропорционально изменению теплоемкости, с охлаждением до 8 К. Эффективная длина свободного пробега фононов λρ, оцениваемая по теплопроводности и известной из литературы теплоемкости фуллерита, сравнима с постоянной решетки кристалла λρ ~ d 1.4 нм при Τ > 200 К и достигает значений λρ ~ 50<f при Τ < 15 К, т.е. максимальные фононные пробеги ограничиваются рассеянием на дефектах в объеме образца SC-фазы. В области Τ 25 — 75 К наблюдаемая температурная зависимость к(Т) может быть описана выражением к(Т) ~ ехр(©/ЬТ), характерным для поведения теплопроводности совершенных непроводящих кристаллов при температурах ниже дебаевской Θ (в фуллерите Θ 80 К), где преобладает фонон-фононное рассеяние с перебросом в объеме образца (U-процессы). PACS: 66.70.+f
|
|