Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 81-92
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 61-80
      Volume 80
      Volume 79
      Volume 78
      Volume 77
      Volume 76
      Volume 75
      Volume 74
      Volume 73
      Volume 72
      Volume 71
      Volume 70
      Volume 69
      Volume 68
      Volume 67
      Volume 66
      Volume 65
      Volume 64
      Volume 63
      Volume 62
      Volume 61
Search
VOLUME 65 | ISSUE 9 | PAGE 699
Электронная структура ультратонких Cs покрытий на поверхности Si(100)2 × 1
В режиме субмонослойных Cs покрытий на поверхности Si( 100)2x1 исследована электронная структура и ионизационная энергия методом пороговой фотоэмиссионной спектроскопии. Обнаружены две поверхностные зоны, индуцированные Cs адсорбцией, изучена их эволюция как функция покрытия. Определено наличие двух "адсорбционных мест" атомов Cs при взаимодействии с активными оборванными связями поверхности. Установлено, что Cs/Si(100)2x 1 интерфейс является полупроводниковым вплоть до монослойного покрытия. Результаты свидетельствуют о преимущественно ковалентном характере Cs адсорбции. PACS: 73.20.-r, 79.60.Dp