Электронная структура ультратонких Cs покрытий на поверхности Si(100)2 × 1
Бенеманская Г.В., Дайнека Д.В., Франк- Каме нецкая Г.Э.
В режиме субмонослойных Cs покрытий на поверхности Si( 100)2x1 исследована электронная структура и ионизационная энергия методом пороговой фотоэмиссионной спектроскопии. Обнаружены две поверхностные зоны, индуцированные Cs адсорбцией, изучена их эволюция как функция покрытия. Определено наличие двух "адсорбционных мест" атомов Cs при взаимодействии с активными оборванными связями поверхности. Установлено, что Cs/Si(100)2x 1 интерфейс является полупроводниковым вплоть до монослойного покрытия. Результаты свидетельствуют о преимущественно ковалентном характере Cs адсорбции. PACS: 73.20.-r, 79.60.Dp
Home
![](/ps/1005/article_15275_800_head.png "<b>В режиме субмонослойных Cs покрытий на поверхности Si( 100)2x1 исследована электронная структура и ионизационная энергия методом пороговой фотоэмиссионной спектроскопии. Обнаружены две поверхностные зоны, индуцированные Cs адсорбцией, изучена их эволюция как функция покрытия. Определено наличие двух "адсорбционных мест" атомов Cs при взаимодействии с активными оборванными связями поверхности. Установлено, что Cs/Si(100)2x 1 интерфейс является полупроводниковым вплоть до монослойного покрытия. Результаты свидетельствуют о преимущественно ковалентном характере Cs адсорбции.</b> <b>PACS: </b><a href=\"http://73.20.-r\"><b>73.20</b></a><a href=\"http://73.20.-r\"><b>.-r</b></a><b>, </b><a href=\"http://79.60.Dp\"><b>79.60.Dp</b></a>")