Тонкая структура экситонных уровней в квантовых точках
Джиоев Р.И., Захарченя Б.П., Ивченко Е.Л., Коренев В.Л., Кусраев Ю.Г., Леденцов Н.Н., Устинов В.М., Жуков А.Е., Цацульников А.Ф.
Представлены результаты экспериментов по изучению тонкой структуры уровней экситонов, локализованных в квантовых точках InAlAs в матрице AlGaAi. В продольном магнитном поле (геометрия Фарадея) обнаружены эффекты преобразования оптической ориентации в выстаивание и выстраивания в ориентацию, обусловленные обменным расщеплением дипольно-активного экситонного дублета и допускаемые низкой симметрией квантовой точки. Сравнение теории с экспериментом позволяет выяснить характер распределения по направлениям диполей для резонансных оптических переходов в исследованном самоорганизованном ансамбле квантовых точек. PACS: 71.35.Cc, 7S.55.Ct