Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 81-92
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 61-80
      Volume 80
      Volume 79
      Volume 78
      Volume 77
      Volume 76
      Volume 75
      Volume 74
      Volume 73
      Volume 72
      Volume 71
      Volume 70
      Volume 69
      Volume 68
      Volume 67
      Volume 66
      Volume 65
      Volume 64
      Volume 63
      Volume 62
      Volume 61
Search
VOLUME 65 | ISSUE 11 | PAGE 840
Двумерный электронный газ в двойных квантовых ямах с наклоненными зонами
При приложении электрического напряжения к двойным квантовым ямам, выращенных на основе AlG&As/G&As гетероструктур с контактными областями (η-ί-η структуры), в одной из квантовых ям появляется двумерный (2D) электронный газ. В условиях подсветки, генерирующей электронно-дырочные пары, фотовозбужденные дырки локализуются в соседней квантовой яме и излучательно рекомбинируют с 20-электронами (туннельная рекомбинация через барьер). Возникновение вырожденного ЛЭ-электронного газа, его энергия основного состояния и плотность устанавливаются по структуре уровней Ландау в спектрах люминесценции и возбуждения люминесценции, а также по осцилляциям интенсивности излучательной рекомбинации в магнитном поле в условиях детектирования непосредственно на уровне Ферми. Плотность электронов регулируется напряжением между контактными областями и возрастает при увеличении наклона зон. При фиксированном наклоне зон плотность 2Б-электронов ограничена сверху их резонансным тунне-лированием в соседнюю квантовую яму и последующей прямой рекомбинацией с фотовозбужденными дырками. PACS: 71.35.Л, 71.70.Ej, 75.70.Cn