Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 81-92
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 61-80
      Volume 80
      Volume 79
      Volume 78
      Volume 77
      Volume 76
      Volume 75
      Volume 74
      Volume 73
      Volume 72
      Volume 71
      Volume 70
      Volume 69
      Volume 68
      Volume 67
      Volume 66
      Volume 65
      Volume 64
      Volume 63
      Volume 62
      Volume 61
Search
VOLUME 67 (1998) | ISSUE 9 | PAGE 707
Экситоны и экситонные комплексы в GaAs/AlGaAs квантовых ямах с квазидвумерным электронным и дырочным каналом малой плотности
PACS: 71.35.Cc, 78.66.Fd
Исследованы спектры рекомбинации экситонов и экситонных комплексов в нелегированных GaAs/AiGaAs одиночных квантовых ямах. На основании изучения магнитополевой зависимости спектров излучения, степени оптической ориентации в нулевом магнитном поле, а также с помощью электрооптических измерений показано, что не только концентрация, но и знак носителей заряда в яме существенно зависят от энергии фотовозбуждения. На основании сравнительного анализа спинового расщепления линий рекомбинации свободного и связанного экситонов показано, что линия рекомбинации, ранее приписываемая положительно заряженному эксито-ну, отвечает рекомбинации экситона, связанного на нейтральном акцепторе.