Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 81-92
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 61-80
      Volume 80
      Volume 79
      Volume 78
      Volume 77
      Volume 76
      Volume 75
      Volume 74
      Volume 73
      Volume 72
      Volume 71
      Volume 70
      Volume 69
      Volume 68
      Volume 67
      Volume 66
      Volume 65
      Volume 64
      Volume 63
      Volume 62
      Volume 61
Search
VOLUME 67 (1998) | ISSUE 10 | PAGE 814
Туннельные резонансы в структурах с двухступенчатым барьером
PACS: 73.40.-c, 78.66.Fd
Исследовался электронный транспорт через асимметричную гетероструктуру с двухступенчатым барьером N+GaAs/N_GaAs/Alo.4Gao.eAs/Alo.o3Gao.erAs/N_ χ xGaAs/N+GaAs. В туннельном токе были обнаружении особенности, связанные с резонансным туннелированием как через уровень размерного квантования в треугольной квантовой яме, индуцированной внешним электрическим полем в области нижней ступени барьера (слой Alo.03Gao.97As), так и через виртуальные уровни в двух квантовых псевдоямах различной ширины. Виртуальные уровни формировались над нижней ступенью или над одним из спейсеров (слоем N~GaAs) вследствие интерференции электронов, в первом случае благодаря отражению от барьера Al0.4Gao.eAs и скачка потенциала на интерфейсе Alo.03Gao.e7As/N~GaAs, во втором от барьера Al0.4Ga0.eAs и перепада потенциала на переходе N_GaAs/N+GaAs, отражение от которого также является когерентным.