Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 81-92
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 61-80
      Volume 80
      Volume 79
      Volume 78
      Volume 77
      Volume 76
      Volume 75
      Volume 74
      Volume 73
      Volume 72
      Volume 71
      Volume 70
      Volume 69
      Volume 68
      Volume 67
      Volume 66
      Volume 65
      Volume 64
      Volume 63
      Volume 62
      Volume 61
Search
VOLUME 65 | ISSUE 12 | PAGE 867
Оптическая ориентация в p-легированных полупроводниковых структурах с расщепленной валентной зоной
Теретически исследована оптическая ориентация спинов электронов в сильнолегированных полупроводниковых структурах с валентной зоной, расщепленной вследствие размерного квантования или одноосной деформации. Показано, что понижение уровня Ферми при легировании и понижении температуры должно приводить при возбуждении структур циркулярно поляризованным светом к резким изменениям в зависимости среднего спина возбужденных электронов от энергии фотонов. Это связано со сменой доминирующего вклада в поглощение переходов из подзоны легких дырок и переходов из подзоны тяжелых дырок. PACS: 73.20.Dx, 78.65.Fa, 78.66.Fd