Нелинейный эффект Фарадея вблизи края собственного поглощения в ферромагнитном полупроводнике CdCr2Se4
Голик Л.Л., Кунькова З.Э.
Обнаружено резкое усиление фарадеевского вращения в полосе вблизи края собственного поглощения ферромагнитного полупроводника CdCr2Se4 при увеличении мощности падающего излучения. Величина эффекта немонотонно зависит от интенсивности излучения. Эффект объясняется обострением экситонного резонанса в результате экранирования фотовозбужденными носителями заряда внутренних электрических полей. PACS: 42.65.Vh, 78.20.Ls