Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 81-92
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 61-80
      Volume 80
      Volume 79
      Volume 78
      Volume 77
      Volume 76
      Volume 75
      Volume 74
      Volume 73
      Volume 72
      Volume 71
      Volume 70
      Volume 69
      Volume 68
      Volume 67
      Volume 66
      Volume 65
      Volume 64
      Volume 63
      Volume 62
      Volume 61
Search
VOLUME 66 (1997) | ISSUE 11 | PAGE 730
Заряженные и нейтральные экситонные комплексы в GaAs/AlGaAs квантовых ямах
Исследованы температурная и магнитополевая зависимости линии рекомбинации многочастичных экситонных комплексов в нелегированных и слаболегированных GaAs/AlGaAs квантовых ямах, которые ранее приписывались свободным заряженным экситонам (трионам). Показано, что эта линия отвечает связанному состоянию комплекса, а именно экситону, связанному на нейтральном доноре в барьере. Обнаружено, что при повышении температуры или мощности накачки наряду с циклотронной репликой, смещенной вниз по энергии, в спектре рекомбинации появляется реплика, симметрично смещенная вверх по энергии на циклотронную энергию и связанная с излучением возбужденного состояния примесного комплекса. Изучено поведение циклотронных реплик в зависимости от концентрации электронов и температуры. PACS: 71.35.-y, 73.61.Еу