Наблюдение антифазных доменов в пленках CdxHg1-xTe на кремнии методом фазового контраста в атомно-силовой микроскопии
И. В. Сабинина*, А. К. Гутаковский*, Ю. Г. Сидоров*, М. В. Якушев*, В. С. Варавин*, А. В. Латышев*+
*Институт физики полупроводников Сибирского отделения РАН, 630090 Новосибирск, Россия
+ Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
PACS: 68.37.-d, 68.47.Fg, 68.55.-a
Abstract
Продемонстрирована возможность использования
фазового контраста в атомно-силовой микроскопии для получения
адекватной информации о плотности и характере распределения
антифазных доменов на поверхности пленок CdHgTe, выращенных
методом молекулярно-лучевой эпитаксии на поверхности Si(301).
Сопоставление фазовых изображений поверхности пленок в
атомно-силовом микроскопе с изображениями структурных дефектов в
приповерхностной области в просвечивающем электронном микроскопе
позволило установить связь между микроструктурой и
микроморфологией пленок.