Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 81-92
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 61-80
      Volume 80
      Volume 79
      Volume 78
      Volume 77
      Volume 76
      Volume 75
      Volume 74
      Volume 73
      Volume 72
      Volume 71
      Volume 70
      Volume 69
      Volume 68
      Volume 67
      Volume 66
      Volume 65
      Volume 64
      Volume 63
      Volume 62
      Volume 61
Search
VOLUME 73 (2001) | ISSUE 9 | PAGE 521
Фононы в сверхрешетках Ge/Si с квантовыми точками Ge
PACS: 63.22.+m, 78.30.Fs, 81.07.Та
Abstract
Сверхрешетки Ge/Si с квантовыми точками Ge, полученные с помощью молекулярно- лучевой эпитаксии, были исследованы методом комбинационного рассеяния света в резонансных условиях. Показано, что такие структуры обладают колебательными свойствами как двумерных, так и нуль- мерных объектов. В низкочастотной области спектра наблюдаются свернутые акустические фононы (вплоть до 15го порядка), характерные для планарных сверхрешеток. Линии акустических фононов перекрываются с широкой полосой непрерывной эмиссии, обусловленной нарушением закона сохранения волновых векторов вследствие формирования квантовых точек. Анализ частот оптических фононов Ge и Ge- Si свидетельствует, что квантовые точки Ge являются псевдоморфными и перемешивание атомов Ge и Si мало. Обнаружен низкочастотный сдвиг продольных оптических фононов при увеличении энергии возбуждения лазера (2.54- 2.71 эВ) вследствие эффекта локализации оптических фононов в квантовых точках малого размера, доминирующих в процессе рассеяния при резонансных условиях.