Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 81-92
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 61-80
      Volume 80
      Volume 79
      Volume 78
      Volume 77
      Volume 76
      Volume 75
      Volume 74
      Volume 73
      Volume 72
      Volume 71
      Volume 70
      Volume 69
      Volume 68
      Volume 67
      Volume 66
      Volume 65
      Volume 64
      Volume 63
      Volume 62
      Volume 61
Search
VOLUME 73 (2001) | ISSUE 9 | PAGE 526
Эффекты слабой локализации в квазиодномеpной электpонной системе над жидким гелием
PACS: 67.40.Jg, 73.20.-r
Abstract
Измерялось магнитосопротивление ρ xx квазиодномерной электронной системы над жидким гелием в области газового рассеяния (область температур 1.3- 2.0 К). Показано, что с увеличением магнитного поля магнитосопротивление вначале уменьшается, а затем, пройдя минимум, начинает возрастать по закону \rho _{xx} \sim B^2. Сделано предположение о том, что обнаруженное в опытах отрицательное магнитосопротивление обусловлено эффектами слабой локализации. Результаты эксперимента качественно согласуются с теоретической моделью, описывающей процессы слабой локализации в одномерных невырожденных электронных системах.