Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 81-92
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 61-80
      Volume 80
      Volume 79
      Volume 78
      Volume 77
      Volume 76
      Volume 75
      Volume 74
      Volume 73
      Volume 72
      Volume 71
      Volume 70
      Volume 69
      Volume 68
      Volume 67
      Volume 66
      Volume 65
      Volume 64
      Volume 63
      Volume 62
      Volume 61
Search
VOLUME 73 (2001) | ISSUE 1 | PAGE 17

Фазовый состав пленок системы Ti-С, полученных при технологических условиях алмазообразования и содержании углерода свыше 50 ат.%
PACS: 68.55.-a, 81.15.Ef
Abstract
Методом дифракции электронов изучен фазовый состав пленок системы Ti-C (концентрация C изменялась от 50 до 100 ат.%), полученных методом ионного распыления C и Ti с последующим осаждением паров, которые обладали предельно низким пересыщением. При конденсации паров в соответствующих пропорциях установлено образование соединения TiC2, имеющее ОЦК решетку с периодом 0.294 нм. Увеличение содержания C свыше 64 ат.% сопровождается переходом к алмазной фазе.