Влияние магнитного поля на неомическую проводимость по примесям некомпенсированного кристаллического кремния
А. П. Мельников, Ю. А. Гурвич, Л. Н. Шестаков*, Е. М. Гершензон
Московский педагогический государственный университет 119891 Москва, Россия *Поморский государственный университет 163006 Архангельск, Россия
PACS: 72.20.-i, 72.80.-r
Abstract
Измерена зависимость проводимости по примесям серии образцов
кристаллического кремния с концентрацией основной примеси см-3 и различной, но очень малой
компенсацией K от электрического поля E в разных
магнитных полях H - σ(H,E). Обнаружено, что при
K<10-3 в умеренных E, где у таких образцов
наблюдается отрицательная неомичность (dσ(0,E)/dE<0),
отношение σ(H,E)/ σ(0,E)>1 (отрицательное
магнетосопротивление). С ростом E эти неравенства
одновременно меняются на противоположные (положительная
неомичность + положительное магнетосопротивление).
Предполагается, что как отрицательная, так и положительная
неомичности обусловлены переходами электронов в
электрических полях из основных состояний примеси в
состояния в щели Мотта - Хаббарда.
|