Новый механизм охлаждения квантовых систем током
Е. Б. Догонкин, Г. Г. Зегря
Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия
PACS: 72.15.Jf, 73.40.Gk
Abstract
Предложен и исследован новый механизм охлаждения
гетероструктур электрическим током. На примере структуры с двумя квантовыми
ямами исследованы условия протекания электрического тока, когда электроны и
дырки из одной квантовой ямы в другую переходят за счет непрямого
туннелирования с участием фононов. Показано, что в такой системе возможно
создание инверсной заселенности для электронов и дырок и охлаждение активной
области лазера инжекционным током. Получен универсальный закон, согласно
которому температура охлаждения квантовой системы выражается только через
разность энергий размерного квантования носителей.