Home
| VOLUME 82 (2005) | ISSUE 7 | PAGE 494 |
|---|
|
Идентификация триплетного основного состояния и фотоиндуцированной инверсной населенности для дивакансии Si-C в карбиде кремния методом ЭПР
П. Г. Баранов, И. В. Ильин, Е. Н. Мохов, М. В. Музафарова, С. Б. Орлинский*, Я. Шмидт*2)
Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, 194021 С.-Петербург, Россия *Huygens Laboratory, Department of Physics, Leiden University, Leiden, The Netherlands PACS: 61.72.Ji, 61.72.Bb, 76.30.-v
Abstract
Показано, что собственные дефекты, ответственные за полуизолирующие свойства SiC, представляют собой дивакансии Si-C в нейтральном состоянии (V Si -V C)0, имеющие триплетное основное состояние. Установлена схема энергетических уровней и механизм создания фотоиндуцированной инверсной населенности триплетных подуровней основного состояния дивакансии, и сделан вывод о наличии синглетного возбужденного уровня, через который и осуществляется спиновая поляризация, что открывает возможность регистрации магнитного резонанса на одиночных дивакансиях. |