Качественный анализ спин-зависимого туннелирования в контактах ферромагнитный металл - изолятор - ферромагнитный металл
А. И. Хачатуров
Донецкий физико-технический институт им. А. А. Галкина НАН Украины, 83114 Донецк, Украина
PACS: 73.40.-c, 75.70.-i
Abstract
Используя ВКБ-приближение и модель параболических зон, проведен
качественный анализ спин-зависимого туннелирования в контактах
ферромагнитный металл-изолятор-ферромагнитный металл. Показано, что
в отличие от других туннельных характеристик, вклад в
магнитосопротивление вносят лишь электроны, движущиеся под большими
углами к плоскости туннельного барьера. Установлена причина быстрого
уменьшения контактного магнитного сопротивления при подаче на переход
напряжения смещения. Показано, что она является следствием зеркального
характера туннелирования и остается справедливой в рамках более сложных
моделей.