Температурное поведение электросопротивления двумерного допированного антиферромагнетика в зависимости от спиновой восприимчивости
А. М. Белемук, А. Ф. Барабанов
Институт физики высоких давлений им. Л. Ф. Верещагина РАН, 142190 Троицк, Московская обл., Россия
PACS: 71.38.+i, 74.20.Mn, 75.30.Mb, 75.50.Ee
Abstract
Исследована температурная зависимость электросопротивления ρ (T) в двумерном допированном антиферромагнетике для различных
форм динамической спиновой восприимчивости
- с учетом затухания и перенормировки
спектра магнитных возбуждений, и для так называемых сильно
затухающих магнонов. Кинетическое уравнение строится на основе
спин-фермионной модели рассеяния носителей на спиновых
флуктуациях. Сильно зависящая от температуры анизотропия рассеяния
носителей учитывается с помощью семимоментного приближения для
неравновесной функции распределения. Показано, что расчет
электросопротивления на основе самосогласованного выражения для
с затуханием качественно воспроизводит
экспериментальное аномальное поведение ρ (T) в
высокотемпературных сверхпроводниках. При этом широко
используемое для приближение "сильно
затухающих магнонов" в области высоких температур является
некорректным.