Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 61-80
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 81-92
      Volume 92
      Volume 91
      Volume 90
      Volume 89
      Volume 88
      Volume 87
      Volume 86
      Volume 85
      Volume 84
      Volume 83
      Volume 82
      Volume 81
Search
VOLUME 83 (2006) | ISSUE 3 | PAGE 152
Кулоновская блокада и термоэдс подвешенной квантовой точки
PACS: 72.20.Pa, 73.23.Hk, 73.63.Kv
Abstract
На основе двумерного электронного газа в ALGaAs/GaAs мембране, отделенной от подложки, создан одноэлектронный транзистор, работающий на эффекте кулоновской блокады - двухбарьерная структура с квантовой точкой. Отрыв образца от подложки, обладающей высокой диэлектрической проницаемостью, привел к резкому снижению полной емкости C квантовой точки и, как следствие, к высокой зарядовой энергии EC=e2/C и критической температуре T_C=E_C/k_B\approx 40 K. Зависимость проводимости квантовой точки от тянущего и затворного напряжений имеет ромбовидную структуру, характерную для эффекта кулоновской блокады. Обнаружена термоэдс фононного увлечения в данной системе, которая имеет аномальную знакопеременную зависимость от затворного напряжения и интенсивности потока фононов. Предложены возможные механизмы, объясняющие указанные аномалии термоэдс.