Термоионизация глубоких центров в полупроводниках в электрическом поле
Карпус В., Перель В.И.
В рамках теории мн^гофононных переходов, с экспоненциальной точностью выведено выражение зависимости вероятности термоионизации от внешнего электрического поля.-" Получено согласие с экспериментальными данными по термоионизацйи глубоких примесей в кремнии.