Измерение длины пробега краевых магнитоплазмонов в системе двумерных электронов из спектров магнитоосцилляций фотонапряжения при микроволновом облучении
В. М. Муравьев, И. В. Кукушкин, А. Л. Парахонский, Ю. Смет+, К. фон Клитцинг+
Институт физики твердого тела РАН, 142432 Черноголовка, Московская обл., Россия
+Max-Planck-Institute fur Festkorperforschung, 70569 Stuttgart, Germany
PACS: 71.35.Cc, 78.66.Fd
Abstract
В спектре периодических по магнитному полю осцилляций сигнала
фотонапряжения, возникающих на холловских структурах при микроволновом
облучении, обнаружены и исследованы две частотные составляющие осцилляций.
Возникновение этих двух частот в осцилляциях фотонапряжения
объясняется наличием двух траекторий краевых магнитоплазмонов и
эффектами интерференции коллективных возбуждений на этих траекториях.
Исследовано влияние температуры, частоты микроволнового излучения и
величины магнитного поля на длину пробега краевых магнитоплазмонов.