|
VOLUME 83 (2006) | ISSUE 7 |
PAGE 346
|
Линейная поляризация излучения квантовых ям ZnCdSe/ZnSe, индуцированная анизотропным профилем интерфейсов
В. В. Травников, В. Х. Кайбышев
Физико-технический институт им. Иоффе РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия
PACS: 78.67.-n
Abstract
При исследовании низкотемпературных спектров экситонной люминесценции
квантовой ямы ZnCdSe/ZnSe, выращенной в направлении [100], обнаружено, что в
зависимости от энергии возбуждающего света наблюдаемое
излучение линейно поляризовано в плоскости ямы либо вдоль оси [011], либо
вдоль ортогональной ей оси []. Поляризация вдоль оси [011]
связана с анизотропией геометрических
профилей интерфейсов и соответствует поляризации экситонов, локализованных в
вытянутых вдоль оси [011] террасах - областях, соответствующих увеличению
толщины ямы на глубину одного или нескольких монослоев.
Террасы возникают за счет наличия на интерфейсах ступенек роста.
Анизотропия в распределении ступенек роста - большая длина ступенек по оси
[011] ответственна и за появление поляризации вдоль
оси []. Такая поляризация возникает за счет обнаруженного
специфического канала анизотропного экситонного поглощения. В результате
такого поглощения возбуждаются свободные экситоны с большими
волновыми векторами. Возбуждение экситонов светом носит непрямой характер -
в нем участвуют дополнительные процессы упругого рассеяния экситонов на
интерфейсных ступеньках роста. Преимущественное рассеяние
на ансамбле более протяженных ступенек роста (вдоль оси [011]) приводит к
выстраиванию волновых векторов возбуждаемых экситонов. Различие в
вероятности поглощения для поляризаций возбуждения по осям
[011] и [] обусловлено разной вероятностью рассеяния на ступеньках
для экситонов, дипольные моменты которых, а соответственно, и оси волновых
функций P-типа для участвующих в процессе дырок ориентированы
вдоль или поперек направления выстраивания волновых векторов экситонов.
|
|