Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 61-80
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 81-92
      Volume 92
      Volume 91
      Volume 90
      Volume 89
      Volume 88
      Volume 87
      Volume 86
      Volume 85
      Volume 84
      Volume 83
      Volume 82
      Volume 81
Search
VOLUME 83 (2006) | ISSUE 7 | PAGE 346
Линейная поляризация излучения квантовых ям ZnCdSe/ZnSe, индуцированная анизотропным профилем интерфейсов
Abstract
При исследовании низкотемпературных спектров экситонной люминесценции квантовой ямы ZnCdSe/ZnSe, выращенной в направлении [100], обнаружено, что в зависимости от энергии возбуждающего света наблюдаемое излучение линейно поляризовано в плоскости ямы либо вдоль оси [011], либо вдоль ортогональной ей оси [0\bar11]. Поляризация вдоль оси [011] связана с анизотропией геометрических профилей интерфейсов и соответствует поляризации экситонов, локализованных в вытянутых вдоль оси [011] террасах - областях, соответствующих увеличению толщины ямы на глубину одного или нескольких монослоев. Террасы возникают за счет наличия на интерфейсах ступенек роста. Анизотропия в распределении ступенек роста - большая длина ступенек по оси [011] ответственна и за появление поляризации вдоль оси [0\bar11]. Такая поляризация возникает за счет обнаруженного специфического канала анизотропного экситонного поглощения. В результате такого поглощения возбуждаются свободные экситоны с большими волновыми векторами. Возбуждение экситонов светом носит непрямой характер - в нем участвуют дополнительные процессы упругого рассеяния экситонов на интерфейсных ступеньках роста. Преимущественное рассеяние на ансамбле более протяженных ступенек роста (вдоль оси [011]) приводит к выстраиванию волновых векторов возбуждаемых экситонов. Различие в вероятности поглощения для поляризаций возбуждения по осям [011] и [0\bar11] обусловлено разной вероятностью рассеяния на ступеньках для экситонов, дипольные моменты которых, а соответственно, и оси волновых функций P-типа для участвующих в процессе дырок ориентированы вдоль или поперек направления выстраивания волновых векторов экситонов.