Home
| VOLUME 83 (2006) | ISSUE 11 | PAGE 592 |
|---|
|
О механизме поглощения фемтосекундных лазерных импульсов при плавлении и абляции Si и GaAs
М. Б. Агранат+, С. И. Анисимов+*, С. И. Ашитков+, А. В. Овчинников+, П. С. Кондратенко
 , Д. С. Ситников+, В. Е. Фортов++Институт теплофизики экстремальных состояний Объединенного института высоких температур РАН, 125412 Москва, Россия *Институт теоретической физики им. Ландау РАН, 142432 Черноголовка, Московская обл., Россия Институт проблем безопасности энергетики РАН, 113191 Москва, Россия
PACS: 63.90.+ t; 78.90.+ t
Abstract
Измерены пороги плавления и абляции при воздействии на Si и GaAs фемтосекундных импульсов хром-форстеритового лазера на длине волны 1240 нм, когда энергия кванта излучения меньше ширины запрещенной зоны. Малое отличие этих величин от порогов плавления и абляции, измеренных при воздействии импульсов второй гармоники на длине волны 620 нм с энергией кванта излучения больше ширины запрещенной зоны, невозможно объяснить с помощью известных теоретических моделей. Предложен новый подход к механизму возникновения электронно-дырочной плазмы и образованию тонкого сильно поглощающего поверхностного слоя в полупроводниках при воздействии фемтосекундных лазерных импульсов видимого и инфракрасного диапазонов спектра излучения, основанный на лавинном механизме заполнения зоны проводимости. |