Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 61-80
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 81-92
      Volume 92
      Volume 91
      Volume 90
      Volume 89
      Volume 88
      Volume 87
      Volume 86
      Volume 85
      Volume 84
      Volume 83
      Volume 82
      Volume 81
Search
VOLUME 83 (2006) | ISSUE 11 | PAGE 596
Резонансное комбинационное рассеяние света в наноструктурах с квантовыми точками InGaAs/AlAs
PACS: 63.22.+m, 78.30.Fs, 78.67.Hc
Abstract
Экспериментально исследовано комбинационное рассеяние света оптическими фононами в наноструктурах InxGa1-xAs/AlAs с квантовыми точками состава x=0.3\div1 в условиях выходного резонанса. Обнаружены особенности, обусловленные рассеянием GaAs- и InAs- подобными оптическими фононами в квантовых точках, и определены частоты фононов в зависимости от состава точек. С увеличением энергии возбуждения наблюдается красный сдвиг частоты GaAs-подобного фонона в квантовых точках, что свидетельствует о комбинационном рассеянии света, селективном по размеру квантовых точек. В резонансных условиях наблюдалось многофононное рассеяние света вплоть до третьего порядка оптическими и интерфейсными фононами, включая обертоны фононов первого порядка материалов InGaAs и AlAs и их комбинации.