Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 61-80
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 81-92
      Volume 92
      Volume 91
      Volume 90
      Volume 89
      Volume 88
      Volume 87
      Volume 86
      Volume 85
      Volume 84
      Volume 83
      Volume 82
      Volume 81
Search
VOLUME 83 (2006) | ISSUE 12 | PAGE 664
Ферромагнетизм в эпитаксиальных слоях германия и кремния, пересыщенных примесями марганца и железа
PACS: 71.55.Eq, 72.20.My, 75.50.Pp, 76.50.+g, 78.20.Ls
Abstract
Сообщается о возможности лазерного синтеза разбавленных магнитных полупроводников на основе германия и кремния, легированных до 10-15 ат.% марганцем или железом. Примеси Mn и Fe, согласно данным об электронных уровнях 3d-атомов в полупроводниках, наиболее предпочтительны для реализации в Ge и Si ферромагнетизма по механизму Рудермана-Киттеля-Касуи-Иосиды (РККИ). Тонкие толщиной 50-110 нм эпитаксиальные слои Ge и Si выращивались на подогретых до 200-480 °С монокристаллических подложках арсенида галлия или сапфира. Содержание 3d-примеси измерено рентгеноспектральным методом. Ферромагнетизм слоев, высокие магнитная и акцепторная активность Mn в Ge, Mn и Fe в Si проявились в наблюдениях при 77-500 К эффекта Керра, аномального эффекта Холла, высокой дырочной проводимости и анизотропного ферромагнитного резонанса (ФМР). По данным ФМР точка Кюри Ge:Mn, Si:Mn на подложках GaAs и Si:Fe на Al2O3 была не ниже 420, 500 и 77 К, соответственно.