|
VOLUME 84 (2006) | ISSUE 1 |
PAGE 23
|
Особенности перехода полупроводник - метал в GaAs при сверхвысоком давлении: новые промежуточные фазы
В. В. Щенников, С. В. Овсянников
Институт физики металлов Уральского отд. РАН, 620041 Екатеринбург, Россия
PACS: 05.70.Fh, 61.50.Ks, 71.22.+i, 72.20.Pa, 73.61.Ey, 81.40.Vw
Abstract
С помощью метода термоэдс (эффекта Зеебека) экспериментально
исследован переход полупроводник - металл (П-М) в монокристаллах арсенида
галия GaAs n- и p-типа, происходящий при сверхвысоком давлении P выше
ГПа. Обнаружено, что в образцах n-типа переход начинается
при меньших давлениях. В области фазового перехода П-М наблюдались
особенности на зависимостях термоэдс S(P), свидетельствующие об образовании
промежуточных решеток между исходной полупроводниковой структурой цинковой
обманкой и металлической орторомбической фазой высокого давления Cmcm. По
аналогии с ZnTe, высказаны предположения, что одна промежуточная фаза
(полупроводниковая с дырочным типом проводимости) имеет структуру киновари, а
вторая (полуметаллическая с электронным типом проводимости), возможно,
структуру SC16. Обсуждается модель перехода П-М. Сопоставляется поведение
термоэлектрических свойств под давлением в GaAs и других полупроводниках
ANB8-N, также испытывающих переход в металлическое состояние.
|
|