Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 61-80
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 81-92
      Volume 92
      Volume 91
      Volume 90
      Volume 89
      Volume 88
      Volume 87
      Volume 86
      Volume 85
      Volume 84
      Volume 83
      Volume 82
      Volume 81
Search
VOLUME 84 (2006) | ISSUE 1 | PAGE 23
Особенности перехода полупроводник - метал в GaAs при сверхвысоком давлении: новые промежуточные фазы
PACS: 05.70.Fh, 61.50.Ks, 71.22.+i, 72.20.Pa, 73.61.Ey, 81.40.Vw
Abstract
С помощью метода термоэдс (эффекта Зеебека) экспериментально исследован переход полупроводник - металл (П-М) в монокристаллах арсенида галия GaAs n- и p-типа, происходящий при сверхвысоком давлении P выше \sim11{-}18 ГПа. Обнаружено, что в образцах n-типа переход начинается при меньших давлениях. В области фазового перехода П-М наблюдались особенности на зависимостях термоэдс S(P), свидетельствующие об образовании промежуточных решеток между исходной полупроводниковой структурой цинковой обманкой и металлической орторомбической фазой высокого давления Cmcm. По аналогии с ZnTe, высказаны предположения, что одна промежуточная фаза (полупроводниковая с дырочным типом проводимости) имеет структуру киновари, а вторая (полуметаллическая с электронным типом проводимости), возможно, структуру SC16. Обсуждается модель перехода П-М. Сопоставляется поведение термоэлектрических свойств под давлением в GaAs и других полупроводниках  ANB8-N, также испытывающих переход в металлическое состояние.