Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 61-80
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 81-92
      Volume 92
      Volume 91
      Volume 90
      Volume 89
      Volume 88
      Volume 87
      Volume 86
      Volume 85
      Volume 84
      Volume 83
      Volume 82
      Volume 81
Search
VOLUME 84 (2006) | ISSUE 2 | PAGE 84
Электродипольный механизм генерации электромагнитного излучения при спиновом транспорте в полупроводнике InSb
Abstract
Представлены результаты исследований условий возникновения электромагнитного излучения при транспорте поляризованных по спину электронов в контактных структурах на основе полупроводника InSb и ферромагнитных материалов HgCr2Se4 и Co2MnSb. Показано, что электромагнитное излучение из контактной структуры возникает только при наличии преимущественной поляризации потока электронов, протекающего из ферромагнетика в полупроводник InSb. Установлено, что интенсивность излучения зависит от направления внешнего магнитного поля относительно осей кристалла InSb и максимальна при тех направлениях магнитного поля, при которых вероятность электродипольных спиновых переходов между зеемановскими уровнями наибольшая.