Электродипольный механизм генерации электромагнитного излучения при спиновом транспорте в полупроводнике InSb
Н. А. Виглин, В. В. Устинов, В. М. Цвелиховская, О. Ф. Денисов
Институт физики металлов Уральского отд. РАН, 620034 Екатеринбург, Россия
PACS: 73.40.-c
Abstract
Представлены результаты исследований условий возникновения
электромагнитного излучения при транспорте поляризованных по спину
электронов в контактных структурах на основе полупроводника InSb и
ферромагнитных материалов HgCr2Se4 и Co2MnSb. Показано, что
электромагнитное излучение из контактной структуры возникает только при
наличии преимущественной поляризации потока электронов, протекающего из
ферромагнетика в полупроводник InSb. Установлено, что интенсивность
излучения зависит от направления внешнего магнитного поля относительно осей
кристалла InSb и максимальна при тех направлениях магнитного поля, при
которых вероятность электродипольных спиновых переходов между
зеемановскими уровнями наибольшая.