Аномальный эффект близости в сверхпроводниковых оксидных структурах с антиферромагнитной прослойкой
Г. А. Овсянников+*, И. В. Борисенко+, Ф. В. Комиссинский+*, Ю. В. Кислинский+, А. В. Зайцев+
+Институт радиотехники и электроники РАН, Москва, Россия
*Чалмерский технологический университет, Факультет микроэлектроники и нанонауки, Гетеборг, Швеция
PACS: 74.45+c
Abstract
Исследовались электрофизические параметры структур
сверхпроводник/антиферромагнитный изолятор на основе гибридной гетероструктуры
Nb/Au/Ca1-xSrxCuO2/YBa2Cu3O7-δ . Эпитаксиальные
пленки YBa2Cu3O7-δ и Ca1-xSrxCuO2 выращивались
методом лазерной абляции на монокристаллических подложках NdGaO3, толщина
прослойки Ca1-xSrxCuO2 варьировалась от 20 до 50 нм, x=0.15 и
0.5. Было обнаружено, что сверхпроводящий парный потенциал в контакте
сверхпроводника YBa2Cu3O7-δ и антиферромагнетика
Ca1-xSrxCuO2 проникает в антиферромагнетик на расстояния,
существенно большие длины когерентности, рассчитанной для ферромагнитной
прослойки. Критический ток сверхпроводникового перехода, изготовленного на
такой границе, обладает высокой чувствительностью к магнитному полю.