Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 61-80
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 81-92
      Volume 92
      Volume 91
      Volume 90
      Volume 89
      Volume 88
      Volume 87
      Volume 86
      Volume 85
      Volume 84
      Volume 83
      Volume 82
      Volume 81
Search
VOLUME 84 (2006) | ISSUE 7 | PAGE 466
Индуцированные микроволновым излучением гигантские осцилляции магнетосопротивления и состояние с нулевым сопротивлением в двумерной электронной системе со средней величиной подвижности
PACS: 73.23.-b, 73.40.Gk
Abstract
Исследовано влияние микроволнового поля в диапазоне частот от 54 до 140 ГГц на магнетотранспорт в GaAs квантовой яме с AlAs/GaAs сверхрешеточными барьерами, подвижность электронов в которой не превышала 106 см2/Вс. В изучаемой двумерной системе обнаружены гигантские осцилляции сопротивления, возникающие под действием микроволнового излучения, положение которых в магнитном поле определяется отношением частоты излучения к циклотронной частоте, ранее наблюдавшиеся лишь в GaAs/AlGaAs гетероструктурах с существенно большей подвижностью. Установлено, что при облучении исследуемых образцов микроволновым полем на частоте 140 ГГц сопротивление в основном минимуме этих осцилляций, расположенном вблизи циклотронного резонанса, принимает значение, близкое к нулю. Полученные результаты указывают на то, что подвижность величиной менее 106 см2/Вс не является фактором, препятствующим возникновению в двумерной системе под действием микроволнового излучения магнетополевых состояний с нулевым сопротивлением.