Гигантское изменение интенсивности туннельного послесвечения в возбужденных квантовых точках ZnO, индуцированное переориентацией спинов электронно-дырочных пар в статическом и микроволновом магнитных полях
П. Г. Баранов, Н. Г. Романов, Д. О. Толмачев, Ц. де Мелло Донега+, А. Мэяринг+ 2), С. Б. Орлинский* 2), Я. Шмидт* 2)
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия
+Debye Institute, Utrecht University, Utrecht, The Netherlands
*Huygens Laboratory, Department of Physics, Leiden University, Leiden, The Netherlands
PACS: 76.30.Fc, 77.84.Dy
Abstract
Обнаружено длительное послесвечение в возбужденных светом
квантовых точках ZnO, обусловленное спин-зависимой туннельной рекомбинацией
электронных и дырочных центров. Наблюдалось гигантское увеличение интенсивности
послесвечения при изменении ориентации спинов электронных и дырочных центров в
условиях электронного парамагнитного резонанса, позволившее произвести
идентификацию этих центров.