Ударная ионизация в полупроводниках в поле световой волны
Ганичев С.Д., Дмитриев А.П., Емельянов С.А., Терентьев Я.В., Ярошецкий И.Д., Яссиевич И.Н.
Обнаружено явление ударной ионизации в л-InSb за счет резогрева электронов в поле световой волны. Проведено теоретическое рассмотрение наблюдаемого явления.