Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 61-80
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 81-92
      Volume 92
      Volume 91
      Volume 90
      Volume 89
      Volume 88
      Volume 87
      Volume 86
      Volume 85
      Volume 84
      Volume 83
      Volume 82
      Volume 81
Search
VOLUME 85 (2007) | ISSUE 1 | PAGE 32
Аномальный эффект Холла в δ-легированных Mn GaAs/In0.17Ga0.83As/GaAs квантовых ямах c высокой подвижностью дырок
PACS: 71.55.Eq, 72.20.My, 72.25.Dc, 75.50.Pp
Abstract
Исследованы магнитные и магнитотранспортные свойства квантовых ям GaAs(\delta \langle{\rm Mn}\rangle)/In0.17Ga0.83As/GaAs с различным содержанием Mn. Дельта-легированный марганцевый слой отделялся от квантовой ямы GaAs спейсером оптимальной толщины (3 нм), что обеспечило достаточно высокую подвижность дырок (\geq10^3 см2/ В• с) в квантовых ямах и эффективный их обмен с атомами Mn. Обнаружено, что в квантовых ямах с активационным характером проводимости аномальный эффект Холла (АЭХ) проявляется только в ограниченном интервале температур выше и ниже температуры Кюри, тогда как в квантовых ямах с "квазиметаллической" проводимостью АЭХ отсутствует. Таким образом, показана неэффективность использования АЭХ для исследования магнитного упорядочения в полупроводниковых системах с высокой подвижностью носителей тока. Обнаруженные особенности в поведении сопротивления, магнитосопротивления и эффекта Холла обсуждаются в терминах взаимодействия дырок с магнитными ионами Mn при учете флуктуаций их потенциала, переноса дырок по уровню протекания и прыжковой проводимости.