Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 61-80
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 81-92
      Volume 92
      Volume 91
      Volume 90
      Volume 89
      Volume 88
      Volume 87
      Volume 86
      Volume 85
      Volume 84
      Volume 83
      Volume 82
      Volume 81
Search
VOLUME 85 (2007) | ISSUE 1 | PAGE 69
Холловский пробой в GaAs/AlAs гетероструктуре с модулированным легированием
PACS: 73.23.-b, 73.40.Gk
Abstract
Экспериментально исследовано влияние величины постоянного электрического тока Idc на электронный транспорт в GaAs квантовой яме с AlAs/GaAs сверхрешеточными барьерами при температуре T = 4.2 К в магнитных полях B до 2 Тл. Обнаружено резкое возрастание сопротивления Rxx в магнитных полях выше некоторого критического значения Bc. Показано, что при прочих равных условиях величина Bc тем меньше, чем больше ток Idc. Обнаруженное явление качественно объясняется электрическим пробоем, возникающим в сверхрешеточных барьерах под действием холловского поля.