Создаваемая током инверсная заселенность спиновых подзон в магнитных переходах
Ю. В. Гуляев, П. Е. Зильберман, А. И. Крикунов, А. И. Панас, Э. М. Эпштейн
Институт радиотехники и электроники РАН, 125009 Москва, Россия
PACS: 72.25.-b, 75.47.-m
Abstract
Найдены условия согласования спиновых потоков на границах
контактирующих слоев магнитного перехода, которые обеспечивают инверсную
заселенность спиновых подзон при экспериментально достижимых плотностях
тока А/см2. Смысл найденных условий состоит в том,
что на входной границе имеет место эффективная инжекция спинов, а на
выходной границе инжекция подавлена. Выполнение условий согласования при
антипараллельной ориентации намагниченностей в соседних слоях приводит к
устойчивости магнитных флуктуаций при любых прямых токах.