Критическое поведение мениска в кристаллах гелия
К. О. Кешишев, В. Н. Сорокин+, Д. Б. Шемятихин
Институт физических проблем им. П.Л.Капицы РАН, 119334 Москва, Россия
+Физический институт им. П.Н.Лебедева РАН, 119991 Москва, Россия
PACS: 67.80.-s, 68.03.Cd
Abstract
Исследована равновесная форма межфазной границы между
сверхтекучим и кристаллическим 4He вблизи ориентации (0001).
Обнаружена особенность в зависимости краевого угла от угла наклона
стенки к полю тяжести. Измерена энергия ступени на базисной
плоскости кристалла.