Home
| VOLUME 85 (2007) | ISSUE 5 | PAGE 294 |
|---|
|
Изменение циклотронной массы двумерных дырок в GaAs(001) квантовой яме от концентрации дырок
М. Н. Ханнанов, И. В. Кукушкин, С. И. Губарев, Ю. Смет+, К. фон Клитцинг+, В. Векшейдер*, С. Герл* 2)
Институт физики твердого тела РАН, 142432 Черноголовка, Московская обл., Россия +Max-Planck-Institut für Festkörperforschung, 70569 Stuttgart, Germany *Institut für Experimentelle und Angewandte Physik, Universität Regensburg, D-93040 Regensburg, Germany PACS: 71.35.Cc, 78.66.Fd
Abstract
Методом оптического детектирования резонансного микроволнового поглощения измерена зависимость циклотронной массы тяжелых дырок в GaAs(001) квантовых ямах от концентрации двумерных дырок. Обнаружено значительное (почти двукратное) увеличение циклотронной массы тяжелых дырок с ростом концентрации носителей заряда в интервале от 1.2 • 1010 см-2 до 1.3 • 1011 см-2. |