Взаимодействие электронов с колебательными модами при туннелировании через одиночный электронный уровень молекулы
П. И. Арсеев, Н. С. Маслова
Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, 119991 Москва, Россия
Физический факультет МГУ, 119992 Москва, Россия
PACS: 73.40.Gk, 73.63.-b
Abstract
В рамках адиабатической схемы показано, что эффективный
гамильтониан электрон-фононного взаимодействия при туннелировании через
одиночный электронный уровень молекулы содержит два разных вклада.
Интерференция двух каналов взаимодействия может приводить либо к усилению,
либо к подавлению генерации фононов. Найдены условия, определяющие
интенсивность возбуждения колебательных мод молекулы.