Эффективное уменьшение обменной энергии в S-(FN)-S джозефсоновских структурах
Т. Ю. Карминская, М. Ю. Куприянов
Научно-исследовательский институт ядерной физики МГУ, 119992 Москва, Россия
PACS: 74.50.+r, 74.80.Fp
Abstract
В рамках квазиклассических уравнений Узаделя рассчитаны
зависимости критического тока I c S-(FN)-S джозефсоновских
структур от расстояния между сверхпроводящими (S) электродами L
в случае задания сверхтока в направлении, параллельном границе
ферромагнитной (F) и нормальной (N) пленок композитной области
слабой связи. Показано, что взаимодействие между F и N
пленками может привести к резкому увеличению по сравнению с SFS
переходами аналогичной геометрии как характерного масштаба
спадания I c(L), так и периода осцилляций критического тока.
Определены условия, при выполнении которых эти длины оказываются
порядка эффективной глубины проникновения сверхпроводимости в
нормальный металл ξN.