|
VOLUME 78 (2003) | ISSUE 11 |
PAGE 1228
|
Электронное охлаждение в болометре на горячих электронах в нормальном металле
М. А. Тарасов, Л. С. Кузьмин, М. Ю. Фоминский, И. Е. Агуло, А. С. Калабухов
+Институт радиотехники и электроники РАН, 101999 Москва, Россия *Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова, 119899 Москва, Россия Chalmers University of Technology, S41296 Gothenburg, Sweden
PACS: 44.20.+b, 73.23.-b, 74.50.+r
Abstract
Изготовлены и экспериментально исследованы болометры на горячих
электронах в нормальном металле БГЭНМ с двумя переходами
сверхпроводник-изолятор-нормальный металл (СИН) для электронного охлаждения
и двумя СИН-переходами для измерения температуры. Электронное охлаждение
СИН-переходами является аналогом эффекта Пелтье и позволяет снижать
эффективную электронную температуру болометра. Величина электронной
температуры определялась из отношения дифференциального сопротивления к
нормальному при нескольких значениях постоянного смещения. При фононной
температуре 250 мК отношение сопротивлений при нулевом смещении
достигало 1000, что близко к теоретическому значению для идеального
СИН-перехода. Достигнуто снижение электронной температуры от 250 мК до
90 мК.
|
|