Электронно-дырочная жидкость в напряженных SiGe-слоях кремниевых гетероструктур
Т. М. Бурбаев, Е. А. Бобрик, В. А. Курбатов, М. М. Рзаев, Н. Н. Сибельдин, В. А. Цветков, Ф. Шэффлер*
Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, 119991 Москва, Россия
*Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik, J. Kepler Universität Linz, A-4040 Linz, Austria
PACS: 73.20.Mf, 78.67.-n
Abstract
Обнаружена электронно-дырочная жидкость (ЭДЖ) в тонких
напряженных SiGe-слоях гетероструктур
Si/Si1-xGex/Si. Определены плотность и
энергия связи ЭДЖ, которые из-за наличия внутренних напряжений в
SiGe-слое существенно меньше, чем у ЭДЖ в объемном
монокристалле твердого раствора такого же состава. Из
экспериментальных данных оценена критическая температура перехода
экситонный газ - ЭДЖ. При температурах, превышающих критическую,
и высоких уровнях возбуждения имеет место переход Мотта:
экситонный газ - электронно-дырочная плазма.