Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 81-92
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 61-80
      Volume 80
      Volume 79
      Volume 78
      Volume 77
      Volume 76
      Volume 75
      Volume 74
      Volume 73
      Volume 72
      Volume 71
      Volume 70
      Volume 69
      Volume 68
      Volume 67
      Volume 66
      Volume 65
      Volume 64
      Volume 63
      Volume 62
      Volume 61
Search
VOLUME 78 (2003) | ISSUE 10 | PAGE 1126
Резонансное туннелирование в сверхпроводящих структурах с s- и d-симметрией параметра порядка
PACS: 74.50.+r, 74.80.Fr
Abstract
Исследуются процессы резонансного туннелирования в сверхпроводящих переходах малой прозрачности с различной симметрией параметра порядка электродов. В рамках формализма функций Грина выводится общая формула резонансного тока для переходов любой размерности. Для сверхпроводящих переходов с изотропным параметром порядка проведен анализ фазовой зависимости сверхтока, усредненного по множеству локализованных состояний. В 2D случае выполнен численный анализ резонансного транспорта тока в переходах с ВТСП электродами с d-симметрией параметра порядка.