Элементарные возбуждения в двойных электронных слоях с туннельной связью
С. В. Товстоног+*, Л. В. Кулик+*, В. Е. Кирпичев+, И. В. Кукушкин+*, В. Дитче*, К. фон Клитцинг*
+Институт физики твердого тела РАН, 142432 Черноголовка, Московская обл., Россия
*Max-Planck-Institut für Festkörperforschung, 70569 Stuttgart, Germany
PACS: 71.35.Cc, 78.66.Fd
Abstract
Методом неупругого рассеяния света исследован новый класс
одночастичных возбуждений в двойных электронных слоях с туннельной
связью между слоями. Измерен закон дисперсии и зависимость энергий
данных возбуждений от степени разбалансировки слоев. Предложен
новый спектроскопический метод определения степени разбалансировки
двойных слоев.