Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 81-92
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 61-80
      Volume 80
      Volume 79
      Volume 78
      Volume 77
      Volume 76
      Volume 75
      Volume 74
      Volume 73
      Volume 72
      Volume 71
      Volume 70
      Volume 69
      Volume 68
      Volume 67
      Volume 66
      Volume 65
      Volume 64
      Volume 63
      Volume 62
      Volume 61
Search
VOLUME 78 (2003) | ISSUE 12 | PAGE 1289
Накопление заряда в квантовых точках Ge в транзисторной структуре GaAs/ZnSe/KT-Ge/ZnSe/Ge с плавающим затвором
PACS: 78.67.Hc
Abstract
Методом молекулярно-лучевой эпитаксии получена и исследована транзисторная структура GaAs/ZnSe/КТ-Ge/ZnSe/Ge с плавающим затвором из квантовых точек германия. Показано, что при освещении светом с длиной волны более 0.5 мк наблюдается положительное, а при меньших длинах волн отрицательное изменение тока канала, связанное с зарядкой квантовых точек. Измерения релаксационных кривых после выключения освещения показывают, что спад тока продолжается в течение от десятков секунд вплоть до нескольких часов в зависимости от температуры образца. Указанные изменения тока канала и релаксационных кривых объясняются на основе трех типов переходов в квантовых точках при поглощении излучения с привлечением изменения состояния канала вблизи гетерограницы от обеднения до инверсии в результате накопления заряда на квантовых точках.