О кондактансе многоконтактной баллистической проволоки
З. Д. Квон, В. А. Ткаченко, А. Е. Плотников, В. А. Сабликов*, В. Рено*, Ж. К. Портал* 2)
Институт физики полупроводников Сибирского отделения РАН, 630090 Новосибирск, Россия
*Институт радиотехники и электроники РАН, 141190 Фрязино, Московская обл., Россия
*Grenoble High Magnetic Fields Laboratory, MPI-FKF and CNRS, F-38042 Grenoble, France
PACS: 73.23.Ad, 73.50.-h
Abstract
Экспериментально исследовано двух-, трех и четырехконтактное
сопротивление баллистической проволоки, изготовленной на основе
высокоподвижного двумерного (2D) электронного газа в гетеропереходе
AlGaAs/GaAs. Установлено различное поведение мезоскопических флуктуаций
многотерминальных сопротивлений в зависимости от затворного напряжения и
магнитного поля. При B=0.45 Тл четырехтерминальное сопротивление падало
почти до нуля и наблюдалось появление особенностей, напоминающих квантование
баллистического кондактанса.