Фотомагнитный эффект в условиях циклотронного резонанса
Магарилл Л.И., Палкин A.M., Созинов В.Н., Шегай О.А., Энтин М.В.
В InSb л-типа впервые обнаружен аналог фотоэлектромагнитного эффекта при оптических переходах между уровнями Ландау. Эффект нечетен по магнитному полю. Основная причина возникновения фотоэдс пространственное разделение неоднородно-Возбужденных носителей из-за различия коэффициентов диффузии горячих и холодных электронов на основном уровне Ландау. Определено время термализации электронов.