Новый механизм спин-гальванического эффекта
Л. Е. Голуб
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия
PACS: 71.70.Ej, 72.10.-d, 72.25.-b, 73.21.Fg, 73.50.Pz
Abstract
Предложен механизм спин-гальванического эффекта, обусловленный
спин-зависимым рассеянием. Электрический ток в системе спин-поляризованных
двумерных носителей создается в результате интерференции процессов рассеяния
с сохранением спина и процессов спиновой релаксации. Спин-гальванический
эффект изучен для гетероструктур, в которых спиновая релаксация идет по
механизмам Эллиота-Яфета и Дьяконова-Переля. Показано, что рассмотренный
вклад в спин-гальванический ток может доминировать в асимметричных квантовых
ямах A3B5.