Плотность состояний в щелях энергетического спектра двумерных электронов в поперечном магнитном поле
Гаврилов М.Г., Кукушкин И.В.
Из анализа термоактивационной магнитопроводимости газа двумерных электронов в Si-МДП-структурах и структурах GaAs Al^Gaj _χ As определена плотность состояний в щелях энергетического спектра между уровнями Ландау (D ) . Показано, что величина D определяется произведением μΗ ^ ; Dx = (2т / πϊι2)(1 + V μΗ )" 1 .
Home
![](/ps/122/article_2094_800_head.png "Из анализа термоактивационной магнитопроводимости газа двумерных электронов в Si-МДП-структурах и структурах GaAs Al^Gaj _<sub>χ</sub> As определена плотность состояний в щелях энергетического спектра между уровнями Ландау <b><i>(D ) . </i></b>Показано, что величина <b><i>D </i></b>определяется произведением <b><i>μΗ ^ ; D<sub>x</sub> = (2т / πϊι<sup>2</sup>)(1 + </i></b>V <b><i>μΗ )" <sup>1</sup> .</i></b>")